規(guī)格型號(hào)：33953847
頻率：10~52MHZ
尺寸：3.2*2.5mm
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產(chǎn)品描述：FMI晶振,FMTC1S2晶振,FMTC1S2050JSW-16.000M-CM晶振,溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM-2.0PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電...

FMI晶振,FMTC1S2晶振,FMTC1S2050JSW-16.000M-CM晶振,溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM-2.0PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無(wú)線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.

我們的石英晶體和晶體振蕩器產(chǎn)品解決方案針對(duì)工業(yè)控制,能源探索和生產(chǎn),航空電子和太空,無(wú)線系統(tǒng)(XBee等),智能公用事業(yè),先進(jìn)的高速4G網(wǎng)絡(luò)和固態(tài)存儲(chǔ),極低功耗和電池供電關(guān)鍵應(yīng)用解決方案.
環(huán)境政策
作為晶體和振蕩器產(chǎn)品的制造商,FMI致力于保護(hù)全球環(huán)境,并相信環(huán)境可持續(xù)性在良好的商業(yè)實(shí)踐中起著關(guān)鍵作用.我們將繼續(xù)制定和維護(hù)計(jì)劃和程序,以便在我們的所有業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)中保持環(huán)保意識(shí).請(qǐng)?jiān)诖颂幉榭碏MI的完整環(huán)境政策聲明.
頻率管理使命宣言
頻率管理|INTERNATIONAL[FMI]在頻率控制設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造方面提供卓越的解決方案,同時(shí)提供業(yè)內(nèi)已知的最高質(zhì)量的客戶(hù)服務(wù)質(zhì)量.
我們專(zhuān)注于優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,定制解決方案以及從概念到交付的快速周轉(zhuǎn).我們的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員提供最佳設(shè)計(jì)解決方案,為高科技市場(chǎng)的客戶(hù)提供長(zhǎng)期價(jià)值,包括(但不限于)通信,商業(yè)空間,石油鉆探,地?zé)?工業(yè),高可靠性,軍事和航空航天.
FMI晶振作為標(biāo)準(zhǔn)通信公司的專(zhuān)屬供應(yīng)商,創(chuàng)立50多年來(lái),一直為通信市場(chǎng)提供快速交付和嚴(yán)格公差的石英晶振和石英晶體振蕩器.FMI晶振,FMTC1S2晶振,FMTC1S2050JSW-16.000M-CM晶振.

Parameter		Clipped Sinewave Specification
Frequency Range		10 to 52 MHz
Frequency Tolerance at +25°C		±2.0 ppm max
Frequency Stability vs. Supply V. ±5% Change		±0.2 ppm max
Frequency Stability vs. Load ±10% Change		±0.2 ppm max
Frequency Stability vs. Aging		±1 ppm first year max
Storage Temperature		-55°C to +125°C
Supply Voltage (Vdd)		1.8 Vdc ±5%
Supply Current (Icc) 10 MHz ≥ Fo < 26 MHz 26 MHz ≥ Fo < 52 MHz		1.5 mA max 2.0 mA max
Symmetry (Duty Cycle)		40/60% Std.
Output Voltage Level Clipped Sinewave		0.8 min, 2.0 max Vp-p
Output Load		10 Kohm // 10pF
Start-up Time		2 mSec max
Phase Noise (typical)		100 Hz -115 dBc/Hz 1kHz -135 dBc/Hz 10kHz -148 dBc/Hz
Aging @ +25°C		±1 ppm max first year
All specifications subject to change without notice.

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號(hào) 焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類(lèi)型，C-2-類(lèi)型，C-4-類(lèi)型 +280°C或低于@最大值5 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。FMI晶振,FMTC1S2晶振,FMTC1S2050JSW-16.000M-CM晶振.

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