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首頁歐美晶振ILSI晶振ILSI晶振,IL3T晶振,IL3T-HX5F12.5-32.768KHZ晶振

    ILSI晶振,IL3T晶振,IL3T-HX5F12.5-32.768KHZ晶振

  • 規(guī)格型號:49337415
  • 頻率:32.768KHZ
  • 尺寸:2.0*1.2mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:ILSI晶振,IL3T晶振,2012mm晶振.ILSI-MMDInc.銷售渠道由全球24個地區(qū)代表組成,覆蓋50個美國,加拿大西部和東部,墨西哥,亞洲,英國,波蘭,德國,法國,意大利,奧地利和南美洲中的45個。銷售渠道還受到由多國一級分...

    ILSI晶振,IL3T晶振,IL3T-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.ILSI-MMD Inc.銷售渠道由全球24個地區(qū)代表組成,覆蓋50個美國,加拿大西部和東部,墨西哥,亞洲,英國,波蘭,德國,法國,意大利,奧地利和南美洲中的45個。銷售渠道還受到由多國一級分銷商,地區(qū)分銷,美國分類目錄和歐洲分類目錄組成的分銷基礎設施的支持; 共有8家專營分銷渠道合作伙伴。
今天,ILSI晶振是一家全球頻率控制解決方案提供商。或者,我們的目標是為全球變頻控制市場提供ISO9000:2008認證,質量非常高,極具競爭力的價格以及優(yōu)質的客戶服務頻率控制產(chǎn)品。
強調:
ILSI-MMD提供廣泛的頻率控制產(chǎn)品包裝,包括工業(yè)標準和定制金屬罐通孔表面貼裝晶體,塑料封裝的手表晶體,陶瓷表面貼裝晶體和陶瓷表面貼裝時鐘振蕩器
ILSI-MMD核心頻率控制產(chǎn)品:晶體。XO,VCXO,TCXO,OCXO振蕩器和諧振器
ILSI-MMD是用于RF /無線應用的TCXO頻率控制產(chǎn)品的市場領導者
ILSI-MMD是一家通過ISO9001:2008 DNV認證的供應商
ILSI-MMD是全球各合同制造/ EMS供應商的認可供應商
ILSI-MMD通過香港的貨運樞紐/倉庫為我們的亞洲合同制造和亞洲直接客戶提供支持,以簡化物流
具有35年頻率控制產(chǎn)品經(jīng)驗的ILSI-MMD現(xiàn)場應用工程團隊.
ILSI晶振是全球領先的石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器研發(fā)生產(chǎn)制造商.艾爾西晶振于2013年收購MMDMonitor公司,更名為ILSI-MMD Inc.ILSI晶振,IL3T晶振,IL3T-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.

ILSI晶振規(guī)格 單位 IL3T晶振頻率范圍 石英晶振基本條件
標準頻率 f_nom 32.768KHZ 標準頻率
儲存溫度 T_stg -55°C ~ +125°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C ~ +85°C 標準溫度
激勵功率 DL 0.1µW Max. 推薦:1μW ~ 100μW
頻率公差 f_— l ±20 × 10-6 (標準)
 
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.ljnshy.cn/
頻率溫度特征 f_tem ±20 × 10-6 
 
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容 CL 12pF(標準) 不同負載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 / -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年

    存儲事項
    (1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
    正常溫度和濕度:
    溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內容)。
    (2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
    安裝時注意事項
    耐焊性
    加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。
   (1)柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
    型號 焊接條件
    [ 柱面式 音叉晶振]
    C-類型,C-2-類型,C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
    請勿加熱封裝材料超過+150°C
    [ 柱面式 ]
    CA-301
    [ DIP ]
    SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
    RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
    請勿加熱封裝材料超過+150°C
    (2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件(實例)
    用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關信息。
    盡可能使溫度變化曲線保持平滑。ILSI晶振,IL3T晶振,IL3T-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.


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