規(guī)格型號：8337971
頻率：8~48MHZ,48~86MHZ
尺寸：6.0*3.5mm
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產(chǎn)品描述：KVG晶振,XMP-6100晶振,XMP-6135-1A-16pF-20MHZ晶振,KVG晶振公司的發(fā)展史展現(xiàn)了晶體產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)持續(xù)更新發(fā)展的過程：1968生產(chǎn)溫度補償晶振TCXOs.1970晶體生產(chǎn)中的直接濺鍍.1971整塊晶體濾波器的生產(chǎn).1972生產(chǎn)凸面性晶...

KVG晶振,XMP-6100晶振,XMP-6135-1A-16pF-20MHZ晶振,KVG晶振公司的發(fā)展史展現(xiàn)了晶體產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)持續(xù)更新發(fā)展的過程：

1968 生產(chǎn)溫度補償晶振TCXOs.
1970 晶體生產(chǎn)中的直接濺鍍.
1971 整塊晶體濾波器的生產(chǎn).
1972 生產(chǎn)凸面性晶體晶片.
1974 引進(jìn)射線測量技術(shù)用于切割面角度的測定.
1979 以電腦為后臺的晶體溫度測定.
1981 以計算機為支持的TCXO的生產(chǎn).
1983 KVG研發(fā)基于晶體的傳感器和研發(fā)OCXOs.
1987 基于計算機控制的質(zhì)量管理體系.
1988 SMD組件的自動裝備機.
1999 用HFF晶體生產(chǎn)VCXOs.
2000 建立新生產(chǎn)，用于生產(chǎn)精準(zhǔn)晶體的產(chǎn)品系列.
2002 KVG重塑獨立實體.
2003 在晶體振蕩器中使用電子諧頻.
2005 設(shè)計出低相噪OCXO.
2007 設(shè)計出航天級的晶體.
2008 設(shè)計出航天級的晶體振蕩器.
2009 建成新的生產(chǎn)設(shè)備.
2010 KVG重組了晶體和振蕩器生產(chǎn)工廠.
2010 設(shè)計出抗沖擊振動 OCXOs.
2011 空間晶體得到歐洲航天局的資格認(rèn)證.
2013 以晶體振蕩器XO和VCXO成為歐洲航天局的資格供應(yīng)商.
2014 采用機械阻尼OCXO模塊.
2015 設(shè)計出超低相躁RF-OCXO和抗沖擊振動OCXO.
在恒溫晶振的領(lǐng)域內(nèi)的新設(shè)計，如提高抗沖擊振動技術(shù)，新的RF TCXO和OCXO,使得在晶體和石英晶體振蕩器的領(lǐng)域再次設(shè)定了標(biāo)準(zhǔn).
主要生產(chǎn)銷售石英晶振,晶體振蕩器,聲表面濾波器等元件.KVG石英晶體廣泛用于電信網(wǎng)絡(luò),儀器設(shè)備,GSP導(dǎo)航等應(yīng)用領(lǐng)域.KVG晶振,XMP-6100晶振,XMP-6135-1A-16pF-20MHZ晶振.

KVG晶振規(guī)格	單位	XMP-6100晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8~48MHZ,48~86MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	0: 0 to +50 °C 1: -10 to +60 °C 2: -20 to +70 °C 3: -40 to +85 °C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	1.0µW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10^{-6 ，}±20 × 10^-6 ±15 × 10^{-6 ，}±25 × 10^-6 ±30 × 10^{-6 ,}±50 × 10^-6	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.ljnshy.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±20 × 10^{-6 ，}±10 × 10^-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8~32pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	/	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±1 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時注意事項
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。KVG晶振,XMP-6100晶振,XMP-6135-1A-16pF-20MHZ晶振.

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