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更多>>- 規(guī)格型號(hào):36770896
- 頻率:9.6~52MHZ
- 尺寸:3.2*2.5mm
- 產(chǎn)品描述:大真空KDS晶振,DSA321SCL晶振,1XTV19200FKA晶振壓控溫補(bǔ)晶體系列,VC-TCXO產(chǎn)品內(nèi)部晶片焊接模式采用了,高精密點(diǎn)膠技術(shù):晶片膠點(diǎn)的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用...
大真空KDS晶振,DSA321SCL晶振,1XTV19200FKA晶振


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大真空KDS晶振,DSA321SCL晶振,1XTV19200FKA晶振
壓控溫補(bǔ)晶體系列,VC-TCXO產(chǎn)品內(nèi)部晶片焊接模式采用了,高精密點(diǎn)膠技術(shù):晶片膠點(diǎn)的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi).

規(guī)格參數(shù) | DSA321SCL |
頻率范圍 | 9.6~52.0MHZ |
電源電壓 | 1.8V 2.6V 2.8V 3.0V 3.3V |
負(fù)載電容 | 10pF |
溫度特征 |
±2.0×10-6 max./ -30~+85℃ @CDMA ±2.5×10-6 max./ -30~+85℃ @GSM |
消費(fèi)電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz) +2.0mA max.(f>26MHz) |
負(fù)荷變動(dòng)特性 | ±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
電源電壓特性 | ±0.2×10-6 max.(VCC±5%) |
老化率 | ±1.0×10-6 max /year |
起動(dòng)時(shí)間 | 2.0ms max |



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<SMD產(chǎn)品>
SMD晶體產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝,但還是請預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測試,確認(rèn)其對特性沒有影響. 在切斷工序等會(huì)導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊. 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會(huì)使得晶體產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內(nèi)部傳播過大的振動(dòng),有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮.
有些晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時(shí),請?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以最短距離連接.關(guān)于個(gè)別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書.

大真空針對晶體產(chǎn)品中所含的以鉛為首的六價(jià)鉻、汞、鎘、PBB、PBD等RoHS指令(Directive of the Restriction of use of the Hazardous Substances)及車載相關(guān)管制的ELV(End of Life Vehicles Directive)中列明的管制物質(zhì)、以及阻燃劑中 使用的鹵素化合物,積極開展削減工作,并準(zhǔn)備了RoHS/ELV指令對應(yīng)產(chǎn)品、無鹵產(chǎn)品以及無鉛產(chǎn)品.
在所有領(lǐng)域的業(yè)務(wù)活動(dòng),從開發(fā),生產(chǎn)和銷售水晶的應(yīng)用產(chǎn)品,Daishinku集團(tuán)業(yè)務(wù)策略促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
大真空集團(tuán)將:
主動(dòng)在能源和資源節(jié)約通過適當(dāng)?shù)乜刂莆镔|(zhì)與環(huán)境的影響和減少它們的使用.
有效利用資源,防止環(huán)境污染的減少和妥善處理廢物,包括重用和回收.
防止全球變暖,開展節(jié)能活動(dòng),減少二氧化碳排放.
避免采購或使用礦物質(zhì),直接或間接金融或受益武裝組織在剛果民主共和國或鄰近的國家.




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