規(guī)格型號：92525665
頻率：12.288~52.0MHZ
尺寸：2.0*1.6mm
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產(chǎn)品描述：日本大真空株式會社,DSB211SDT溫補晶振,六腳貼片晶振,溫補晶振（TCXO）產(chǎn)品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM?2.0PPM,工作溫度范圍:-30度?85度,電源電壓:1.68V?3.5V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有...

日本大真空株式會社,DSB211SDT溫補晶振,六腳貼片晶振,溫補晶振（TCXO）產(chǎn)品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM~2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度~85度,電源電壓:1.68V~3.5V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.

規(guī)格參數(shù)	DSB211SDT
頻率范圍	12.288~52.0MHZ
電源電壓	1.68~3.5V
負(fù)載電容	10pF
溫度特征	±2.5×10^-6 max /-30~+85℃ ±2.5×10^-6 max /-30~+85℃ (Option)
消費電流	+1.5mA max (f≤26MHZ) +2.0mA max (f＞26MHZ)
負(fù)荷變動特性	±0.2×10^-6 max (10KΩ//10pF±10%)
電源電壓特性	±0.2×10^-6 max (Vcc±5%)
老化率	±1.0×10^-6 max /year
起動時間	2.0ms max

使用每種產(chǎn)品時,請在產(chǎn)品規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用.

晶體產(chǎn)品的設(shè)計和生產(chǎn)滿足它的規(guī)格書.通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測試以提供高質(zhì)量高可靠性的產(chǎn)品.但是為了產(chǎn)品的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲,安裝,運輸.請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用產(chǎn)品所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任.

所有產(chǎn)品的共同點

抗沖擊

晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.

輻射

暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.

化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.

粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑. （比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

大真空針對晶體產(chǎn)品中所含的以鉛為首的六價鉻、汞、鎘、PBB、PBD等RoHS指令（Directive of the Restriction of use of the Hazardous Substances）及車載相關(guān)管制的ELV（End of Life Vehicles Directive）中列明的管制物質(zhì)、以及阻燃劑中使用的鹵素化合物,積極開展削減工作,并準(zhǔn)備了RoHS/ELV指令對應(yīng)產(chǎn)品、無鹵產(chǎn)品以及無鉛產(chǎn)品.
高溫焊錫和DSX-G系列的低熔點玻璃中所含的鉛以及DSO/DSV753H系列、DSV753C系列、DLC117中使用的片狀電阻中所含的鉛不屬于RoHS指令（Directive of the Restriction of the use of the Hazardous Substances）以及ELV指令（End of Life Vehicles Directive）的適用范圍,被允許使用.

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