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首頁進口晶振富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手機晶體振蕩器

    富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手機晶體振蕩器

  • 規(guī)格型號:56579312
  • 頻率:25M-250MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2mm
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  • 產(chǎn)品描述:智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準...
      富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手機晶體振蕩器,有源石英晶振,無論是溫補晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵功率相關性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
      5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
10月
參展晶振東京商務峰會。
開始銷售led燈。
12月
開始銷售高壓薄膜電容器。
2011年12月
高電壓薄膜電容器lcr產(chǎn)品引進。
2012年7月
東芝產(chǎn)半導體開始銷售富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手機晶體振蕩器。
2013年1月
軟件委托開發(fā)開始。
5月
晶振廠家總公司新辦公室改建遷移。
10月
shoprider的電動汽車開始銷售。
2014年7月
小規(guī)模事業(yè)者可持續(xù)發(fā)展補助金。
石英晶振規(guī)格 單位  FPO-500     5.0*3.2mm  晶振說明 進口振蕩器基本條件
額定頻率范圍 f_nom 25M-250MHZ 晶振標準頻率
儲存溫度 T_stg -40°C ~ +85°C 裸存
工作溫度 T_use -10°C ~ +70°C 標準溫度
電源電壓 SV 2.5V 1.8V 3.3V 5V 12V  
頻率公差 f_— l ±50 × 10-6 (標準),
(±15 × 10-6 ~ ±100 × 10-6 可用)
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息.
頻率溫度特征 f_tem ±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C 超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容 CL 15pF 超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
 


7-1:機械振動的影響
石英晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
7-2:PCB設計指導
(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于貼片晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 進口晶振在設計時請參考相應的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手機晶體振蕩器
     有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術(shù):5032封裝差分晶振,有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有差分晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關參數(shù)。富士通晶振,有源晶振,FPO-500晶振,智能手機晶體振蕩器
     貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):SMD壓控晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。

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