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帝國(guó)博客
更多>>- 規(guī)格型號(hào):17662230
- 頻率:3.579 ~ 85.0MHz
- 尺寸:13.5*4.8mm
- 產(chǎn)品描述:我公司的49/SMD貼片晶振在生產(chǎn)晶片時(shí),就采用了晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑晶片設(shè)計(jì)可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)( a、球面的余弦...
富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導(dǎo)航儀晶振


富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導(dǎo)航儀晶振,高精度的石英晶體諧振器,是需要在生產(chǎn)前期的各道工序就得采用嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn),比如電阻的測(cè)量技術(shù):引進(jìn)一批先進(jìn)的檢測(cè)儀器,準(zhǔn)確度達(dá)到±1ppm(國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn))。在測(cè)量應(yīng)用上制定一套標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量方法保證測(cè)量的準(zhǔn)確性、儀器的精度、測(cè)試的一致性。如下方面都會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果帶來影響:1、測(cè)試針本身連接的可靠性;2、測(cè)試針同測(cè)試管的連接性;3、測(cè)試板同測(cè)試針的接觸問題;4、測(cè)試座同電纜的連接;5、小負(fù)載的規(guī)格測(cè)量的規(guī)定;6、測(cè)試板π頭上空測(cè)其C0值(保留3位以上小數(shù));7、測(cè)量環(huán)境、操作方法等管制。
普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

10月
參展東京晶振商務(wù)峰會(huì)。
開始銷售led燈。
12月
開始銷售高壓薄膜電容器。
2011年12月
高電壓薄膜電容器lcr產(chǎn)品引進(jìn)。
2012年7月
東芝產(chǎn)半導(dǎo)體開始銷售富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導(dǎo)航儀晶振。
2013年1月
軟件委托開發(fā)開始。
5月
總公司新辦公室改建遷移。
10月
shoprider的電動(dòng)汽車開始銷售。
2014年7月
SMD晶振小規(guī)模事業(yè)者可持續(xù)發(fā)展補(bǔ)助金。
2015年5月
㈱ぱるぱる產(chǎn)電動(dòng)卡丁車“パルパル”開始銷售。
富士com有限公司于2013年創(chuàng)立20期,創(chuàng)立20周年
參展東京晶振商務(wù)峰會(huì)。
開始銷售led燈。
12月
開始銷售高壓薄膜電容器。
2011年12月
高電壓薄膜電容器lcr產(chǎn)品引進(jìn)。
2012年7月
東芝產(chǎn)半導(dǎo)體開始銷售富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導(dǎo)航儀晶振。
2013年1月
軟件委托開發(fā)開始。
5月
總公司新辦公室改建遷移。
10月
shoprider的電動(dòng)汽車開始銷售。
2014年7月
SMD晶振小規(guī)模事業(yè)者可持續(xù)發(fā)展補(bǔ)助金。
2015年5月
㈱ぱるぱる產(chǎn)電動(dòng)卡丁車“パルパル”開始銷售。
富士com有限公司于2013年創(chuàng)立20期,創(chuàng)立20周年

石英晶振參數(shù) | 單位 | HCM49S 13.5*4.8mm晶振 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率范圍 | f_nom | 3.579M-85MHZ |
儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -40°C ~+85°C |
工作溫度 | T_use | -20°C ~+70°C |
激勵(lì)功率 | DL | 100μW |
精度 | f_— l | ±30 ppm |
拐點(diǎn)溫度 | Ti | +25°C ±5°C |
負(fù)載電容 | CL | 12-20pF |
串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 80kΩ Max |

噪音
石英晶振在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
貼片晶振建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導(dǎo)航儀晶振
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),無源晶體當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
石英晶振在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
貼片晶振建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導(dǎo)航儀晶振
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),無源晶體當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
保方針(2).jpg)
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):車載電子領(lǐng)域晶振是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)富士通晶振,石英晶振,HCM49S晶振,導(dǎo)航儀晶振。
石英晶振真空退火技術(shù):2腳焊腳49S晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,49S型貼片晶振石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。

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