規(guī)格型號：31430219
頻率：12.0~54.0MHz
尺寸：3.2*2.5mm
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產(chǎn)品描述：NSK的產(chǎn)品被廣泛地運(yùn)用在個人計算機(jī)、安全系統(tǒng)、通訊、無線應(yīng)用、遙控單元和消費(fèi)性電子產(chǎn)品等,并已陸續(xù)獲得國內(nèi)外電腦及通訊大廠認(rèn)可及使用.

晶體諧振器,NXK-32無源晶體,電腦專用津綻晶振,無論是3225mm尺寸或者是2520mm尺寸的貼片石英晶振,內(nèi)部的石英晶片,研磨鍍層等技術(shù),均需要采用機(jī)器設(shè)備運(yùn)行,那么尺寸如此之小的晶體內(nèi)部的晶片又是怎樣處理的呢？首先,通過滾筒倒邊,主要是為了去除晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計必須合理,有一項(xiàng)不完善都會使晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.

石英晶振規(guī)格參數(shù)	NXK-32
1.頻率
頻率范圍	12.0 ~ 54.000 MHz
頻率公差在25°C±2°C	±10 ~ ±50 ppm (TYP.)
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍	±10 ~ ±50 ppm (TYP.)
2.環(huán)境條件
工作溫度	-10°C~ +60°C,-20°C~ +70°C or customer requirement
保存溫度	-40°C ~ +85°C
老化率	±3ppm/year
3.電路規(guī)格
測試電路	S&A 250B
負(fù)載電容	6 pF ~ 32 pF, series or special
開車水平	1uW ~ 100uW or special
分路電容	7.0pF max

常溫電阻特性主要是中心值與穩(wěn)定性.電阻中心值與控制上限的距離與產(chǎn)品的合格率息息相關(guān),在測試系統(tǒng)中可以用平均值代替中心值,一般要求產(chǎn)品平均值是控制上限的50%左右.做制程改善時重點(diǎn)關(guān)注點(diǎn)膠與污染.芯片不良在電阻大這一不良項(xiàng)中出現(xiàn)次數(shù)會比較多,特別是新的芯片供貨商或開發(fā)新頻點(diǎn)時.

　通常產(chǎn)品在常溫下的電阻要比頻率更穩(wěn)定,其變化量更容易控制在±0.5Ω以內(nèi),一般只有高頻產(chǎn)品或3RD產(chǎn)品會出現(xiàn)此類問題,如果產(chǎn)品有此類現(xiàn)象往往歸在可靠性中分析.

　激勵功率相關(guān)性主要是考察產(chǎn)品在不同激勵功率下的頻率或電阻及其變化量,目前SMD產(chǎn)品設(shè)定的最小激勵功率一般是0.01uW,最大激勵功率一般是200 uW,20M以上的優(yōu)良產(chǎn)品DLD2和FDLD應(yīng)小于1,12M左右的低頻產(chǎn)品DLD2特性稍差,但其中心值也應(yīng)低于8Ω.產(chǎn)品DLD出問題時的分析圖請參照產(chǎn)品電阻大的分析圖,但有一點(diǎn)應(yīng)特別引起重視—產(chǎn)品封焊前在制程中的流動速度越快越好,各工序產(chǎn)出應(yīng)盡量平衡,減少物料在各工序等待時間.

津綻晶體科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營管理的基礎(chǔ).藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實(shí)環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實(shí)施.并不斷透過教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識,藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān),并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力.對內(nèi),我們將透過各種教育訓(xùn)練與活動,用心創(chuàng)造一個多元且充滿活力的工作環(huán)境 (例如健康促進(jìn)活動); 對外,本公司透過與利害相關(guān)團(tuán)體間的溝通,積極落實(shí)企業(yè)社會責(zé)任活動,持續(xù)投入社會公益,降低對社會環(huán)境之沖擊.

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